Nüfus ters ulaşmak, eşik koşulları ve rezonans koşulu karşılamak. Işık uyarılmış emisyon nüfus inversiyon için önemlidir, iletim bandıiçine valans bandında bir yarı iletken elektronik pompa getirmektir. İonik popülasyon inversiyon elde etmek için, genellikle ağır iğneli p-tipi ve n-tipi malzeme PN kavşak, böylece uygulanan gerilim varlığında, iyon inversion-in yüksek Fermi EFC yakın alanda ortaya çıktı iletim bandı altında ve valans bandında düşük Fermi EFV depolama delikleri üzerinde elektrontutar. Nüfus inversiyon ulaşmak lazer için gereklidir, ancak yeterli bir durum değil. Lazer üretmek için, ama aynı zamanda kavite minimal kaybı var, rezonatör önemli parçaları iki paralel aynalar, ışık uyarılmış emisyon tarafından verilen aktive iki aynalar arasında ileri geri yansıyan, sürekli yeni uyarılmış emisyon oluşturma, hangi genişlemiş oldu. Radyasyon uyarılmış emisyon tarafından amplifikasyon sadece kazanç lazer içinde kaybı daha büyüktür, belirli bir eşik koşulları karşılayan
