Katıların bant teorisine göre, elektronların enerji seviyeleri yarı iletken bir malzemede bant oluşturur. Yüksek enerjili iletim bandı, düşük enerjili valans bandı, iki ayrı bant. Yarı iletken olmayan denge elektron-delik çiftleri bileşik tanıtmak, ışık şeklinde serbest enerji yayılan, bu taşıyıcıların rekombinasyon olduğunu.
Genellikle iki tip yarı iletken malzeme, doğrudan bant-gap malzemeleri ve dolaylı bant-gap malzemeleri, GaAs (galyum arsenid) gibi doğrudan bant boşluğu yarı iletkenler çok daha sık Si Radyatif geçiş olasılıkları gibi dolaylı bandgap yarı iletken malzemeler, ışık verimliliği çok daha yüksektir.
Uyarılmış emisyon elde etmek için yarı iletkenlerde rekombinasyon (lazer) aşağıdakiler için gereklidir: taşıyıcı yoğunluğu çok yüksek olduğunda p tipi ve n-tipi yan dan aktif bölgeye popülasyon inversiyon dağılımı, elektron sayısı bir iletim bandı elektron Devletler bir valyans bandı elektronik Devlet işgal, dağıtım bir popülasyon ters lik oluşturur. (2) ışık rezonans kavite yarı iletken lazerler, boşluk her iki ucunda ayna oluşan, Fabry Perot boşluğu denir. Üçüncü olarak, kayıp için yüksek kazanç tazminat. Bir rezonatörün optik kaybı esas olarak kayıp ve orta ışık emilimi yansıma odaklı dış lansmanı kaynaklanır.