BrandNew her zaman bağımsız araştırma ve geliştirme ve yüksek güçlü lazer çipleri üretiminde ısrar etti. Art arda piyasaya sürülen 9XXnm 15W, 20W ve 25W tek tüplü çipler uzun yıllardır endüstriyel pazarda test edilmiştir ve pazar tarafından yaygın olarak güvenilmiş ve tanınmıştır.
BrandNew, pazar talebini karşılamak ve lazer pompa kaynağının çıkış gücünü ve fiyat-güç oranını iyileştirmek için, performans ve güvenilirlik açısından büyük ölçüde geliştirilmiş yeni bir 9XXnm 28W yarı iletken lazer çipini piyasaya sürdü.
01 Performans göstergeleri uluslararası ileri seviyeye ulaştı
Güç ve verimliliği artırın
Yarı iletken lazerlerin çıkış gücü ve verimliliği esas olarak lazer eşiği, eğim ve yüksek akımlı güç devrilmesi gibi faktörlerden etkilenir. BrandNew, epitaksiyel yapı tasarımını optimize ederek yüksek akım rollover'ını ve geliştirilmiş fotoelektrik dönüşüm verimliliğini etkili bir şekilde önledi.
1. Verimliliği artırmak için
Genellikle eşiği düşürmek ve eğimi artırmak için PN kavşağının doping konsantrasyonu azaltılarak, çok düşük bir doping konsantrasyonu PN kavşağının direncini artıracak ve talaş voltajını artıracaktır. Eşik, eğim ve voltajın optimum dengesi sorununu çözmek için asimetrik büyük optik boşluk yapısı dalgasını optimize ettik, dalga kılavuzu tabakasının kalınlığını artırdık ve optik alanı ve yüksek dopingi azaltmak için PN kavşağının farklı bölgelerinde doping konsantrasyonunun dağılımını dikkatlice tasarladık. Serbest taşıyıcıların safsızlık hapsetme katmanındaki çakışması, eşik düşürildiğinde ve eğim verimliliği iyileştirildiğinde voltajın temelde değişmediğinden emin olmak için emilim kaybını azaltır, böylece talaş verimliliğini artırır.
2. Yüksek akım devrilmesinden kaçının
Yüksek akım bükme esas olarak yüksek akım enjeksiyonu sırasında iç kuantum verimliliğinin azalmasından kaynaklanmaktadır. Lazer yapısının kazanç bölgesine yakın malzemenin enerji bandı yapısını optimize ederek ve PN kavşağının elektron enjekte etme kabiliyetini geliştirerek, yüksek akım enjeksiyonunun kuantum verimliliği artar ve yüksek akım bükme fenomeni etkili bir şekilde önlenir.
Işın kalitesini artırın, parlaklığı artırın
BrandNew, yüksek sıralı modların saçılma kaybını artırmak, yüksek sıralı yan modları bastırmak, lazer çipinin ışın kalitesini artırmak ve parlaklığı artırmak için anti-dalga kılavuzu ve mikroyapı modifikasyon mühendisliği yöntemlerini kullanır. Şu anda, BrandNew tek tüplü çip yavaş eksenin% 95 enerji ayrışma açısına ulaşır 9 °, parlaklık 80MW / cm2sr'den büyüktür.
Çeşitli etkileyen faktörlerin etkili tedavisi ve önlenmesi sayesinde BrandNew'in kendi geliştirdiği tek tüplü çip 28W ticari güç çıkışına ulaştı, test gücü 30W'tan fazla, yavaş eksen % 95 enerji ayrışma açısı 9 ° 'ye, parlaklık 80MW / cm2sr'den büyük ve verimlilik% 65'e ulaştı, bir dizi performans göstergesi uluslararası lider seviyeye ulaştı.
02 Endüstriyel pazarın ihtiyaçlarını karşılamak için yüksek güvenilirlik
Daha yüksek çıkış gücü ve dönüşüm verimliliği peşinde koşarken, lazer yaşamı için endüstriyel pazarın daha yüksek gereksinimlerini karşılamak da aralıksız çabalarımızın yönüdür.
Kavite yüzey işleme teknolojisi, yüksek güçlü yarı iletken lazer çiplerinin güvenilirliğini ve endüstriyel uygulamasını belirlemenin anahtarıdır. Lazer çip gücündeki artışa, çipin bağlantı sıcaklığındaki artış ve boşluk yüzeyinin optik güç yoğunluğu eşlik ediyor ve bu da boşluk yüzeyinin hasar direnci için daha yüksek gereksinimler ortaya koyuyor. Özel boşluk yüzey işleme için anahtar teknolojilerin yılların birikimine dayanan BrandNew, bağımsız araştırma ve geliştirme ekipmanlarının proses seviyesini geliştirdi, yeni kavite yüzey işleme teknolojileri geliştirdi, kavite yüzeyi işlemenin kontrol kalite seviyesini iyileştirdi ve boşluk yüzeyinin optik felaket hasarına karşı koyma yeteneğini geliştirdi. 28W yüksek güçlü lazer çipinin lazerin ömrü için endüstriyel pazarın gereksinimlerini karşıladığından emin olun.
Daha fazla bilgi için bize hoş geldiniz:
Whatsapp/Skype/Wechat: 0086 181 5840 0345
E-posta: info@brandnew-china.com